Legge di Bragg

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    La legge di Bragg esprime la condizione di interferenza costruttiva per onde diffratte da famiglie di piani cristallografici in un cristallo. È la relazione di base usata nella diffrattometria a raggi X per collegare posizione dei picchi e distanza interplanare:

    n\lambda=2d\sin\theta

    Il termine 2d\sin\theta è la differenza di cammino tra raggi diffusi da piani cristallini paralleli. Quando questa differenza è un multiplo intero della lunghezza d’onda, le onde arrivano in fase e il segnale diffratto presenta un massimo.

    Significato dei simboli

    SimboloSignificato
    \displaystyle nordine di diffrazione, numero intero positivo
    \displaystyle \lambdalunghezza d’onda della radiazione incidente
    \displaystyle ddistanza interplanare della famiglia di piani cristallini
    \displaystyle \thetaangolo di Bragg tra raggio incidente e piano cristallino

    Nei diffrattogrammi XRD l’asse orizzontale è spesso 2\theta, non \theta. Prima di applicare la legge bisogna quindi dimezzare il valore letto sul picco:

    \theta=\dfrac{1}{2}(2\theta)

    Distanza interplanare

    Dalla posizione di un picco si ricava:

    d=\dfrac{n\lambda}{2\sin\theta}

    Per cristalli cubici, se il picco è associato alla famiglia di piani (hkl), vale:

    d_{hkl}=\dfrac{a}{\sqrt{h^2+k^2+l^2}}

    e quindi il parametro reticolare è:

    a=d_{hkl}\sqrt{h^2+k^2+l^2}

    Questa combinazione tra legge di Bragg e indici di Miller permette di stimare il parametro di cella da picchi sperimentali.

    Uso operativo

    PassoOperazione
    1leggere la posizione del picco come \displaystyle 2\theta
    2calcolare \displaystyle \theta=(2\theta)/2
    3calcolare \displaystyle d=\dfrac{n\lambda}{2\sin\theta}
    4assegnare gli indici \displaystyle (hkl) se la struttura è nota o ipotizzata
    5ricavare il parametro reticolare o confrontare il picco con database di fasi

    Limiti e cautele

    La legge di Bragg stabilisce dove possono comparire i massimi, ma non determina da sola l’intensità dei picchi. Le intensità dipendono da fattore di struttura, molteplicità, orientazione preferenziale, assorbimento, dimensione dei cristalliti, deformazioni e condizioni strumentali.

    Inoltre la formula assume diffusione elastica e periodicità cristallina. Materiali amorfi o molto nanostrutturati possono mostrare bande larghe invece di picchi stretti, mentre miscele di fasi producono più famiglie di picchi sovrapposte.

    Errori comuni

    • Usare direttamente 2\theta al posto di \theta nella formula.
    • Dimenticare che \theta va usato con funzioni trigonometriche coerenti con l’unità dell’ambiente di calcolo.
    • Interpretare tutti i picchi come primo ordine senza verificare l’assegnazione cristallografica.
    • Credere che un picco alto significhi automaticamente maggiore quantità di fase: l’intensità dipende anche da fattori cristallografici e strumentali.

    Vedi anche: Diffrattometria a raggi X, Piani cristallografici, Indici di Miller, Reticolo cristallino, Cristallochimica, Diffrazione.

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