Transistor BJT: polarizzazione, esercizi svolti

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    Il transistor BJT amplifica corrente: una piccola corrente di base I_B controlla una corrente di collettore I_C molto maggiore. Per farlo funzionare da amplificatore va polarizzato in zona attiva, fissando un punto di lavoro stabile. Questa scheda allena il calcolo del punto di riposo nelle configurazioni tipiche.

    Relazioni in zona attiva: \;I_C=\beta I_B\; e \;I_E=I_C+I_B=(\beta+1)I_B, con V_{BE}\approx0{,}7\ \text{V}.

    1. Guadagno di corrente

    Esercizio. Un BJT ha \beta=100 e corrente di base I_B=20\ \mu\text{A}. Calcolare I_C e I_E.

    I_C=\beta I_B=100\times20\times10^{-6}=2{,}0\ \text{mA}.

    I_E=(\beta+1)I_B=101\times20\times10^{-6}=2{,}02\ \text{mA}.

    Poiché \beta\gg1, spesso I_E\approx I_C: la corrente di base è una piccola frazione del totale.

    2. Polarizzazione fissa di base

    Esercizio. Polarizzazione fissa: V_{CC}=12\ \text{V}, R_B=470\ \text{k}\Omega, \beta=100, V_{BE}=0{,}7\ \text{V}. Calcolare I_C.

    Passo 1 — corrente di base (maglia di base):

    I_B=\dfrac{V_{CC}-V_{BE}}{R_B}=\dfrac{12-0{,}7}{470\,000}=\dfrac{11{,}3}{470\,000}=24\ \mu\text{A}.

    Passo 2 — corrente di collettore:

    I_C=\beta I_B=100\times24\times10^{-6}=2{,}4\ \text{mA}.

    La polarizzazione fissa è semplice ma instabile: I_C dipende direttamente da \beta, che varia molto tra esemplari.

    3. Tensione collettore-emettitore

    Esercizio. Nel circuito del punto 2 con R_C=2\ \text{k}\Omega, calcolare V_{CE} e individuare la regione di lavoro.

    Maglia di collettore:

    V_{CE}=V_{CC}-R_C I_C=12-2000\times2{,}4\times10^{-3}=12-4{,}8=7{,}2\ \text{V}.

    V_{CE}=7{,}2\ \text{V}>V_{CE,sat}\approx0{,}2\ \text{V} → il transistor è in zona attiva, adatto all’amplificazione.

    4. Regioni di funzionamento

    Esercizio. Classificare lo stato del BJT nei tre casi: (a) I_B=0; (b) V_{CE}=0{,}1\ \text{V}; (c) V_{CE}=6\ \text{V}, I_B>0.

    • (a) I_B=0\Rightarrow I_C\approx0: interdizione (transistor spento, come interruttore aperto);
    • (b) V_{CE}\approx0{,}1\ \text{V} (sotto V_{CE,sat}): saturazione (interruttore chiuso);
    • (c) V_{CE} ampio, I_B>0: zona attiva (amplificazione, I_C=\beta I_B).

    Interdizione e saturazione sono gli stati da interruttore (logica digitale); la zona attiva è quella analogica.

    5. Retta di carico e punto di lavoro

    Esercizio. Per V_{CC}=12\ \text{V}, R_C=2\ \text{k}\Omega, scrivere la retta di carico e trovare i due estremi.

    La retta di carico lega I_C e V_{CE} sulla maglia di uscita:

    V_{CE}=V_{CC}-R_C I_C\ \Rightarrow\ I_C=\dfrac{V_{CC}-V_{CE}}{R_C}.

    Estremi:

    • saturazione (V_{CE}=0): I_{C,max}=V_{CC}/R_C=12/2000=6\ \text{mA};
    • interdizione (I_C=0): V_{CE,max}=V_{CC}=12\ \text{V}.

    Il punto di lavoro (Q) sta sulla retta tra questi estremi. Per massima escursione del segnale conviene Q a metà: V_{CE}\approx6\ \text{V}.

    6. Polarizzazione con partitore (stabilità)

    Esercizio. Partitore di base R_1=47\ \text{k}\Omega, R_2=10\ \text{k}\Omega, V_{CC}=12\ \text{V}, R_E=1\ \text{k}\Omega, V_{BE}=0{,}7\ \text{V}. Stimare I_C (con approssimazione di base a corrente trascurabile).

    Passo 1 — tensione di base (partitore):

    V_B=V_{CC}\dfrac{R_2}{R_1+R_2}=12\times\dfrac{10}{57}=2{,}11\ \text{V}.

    Passo 2 — tensione di emettitore: V_E=V_B-V_{BE}=2{,}11-0{,}7=1{,}41\ \text{V}.

    Passo 3 — corrente di emettitore (≈ collettore):

    I_C\approx I_E=\dfrac{V_E}{R_E}=\dfrac{1{,}41}{1000}=1{,}41\ \text{mA}.

    Vantaggio: I_C dipende da R_E e dal partitore, non da \beta → punto di lavoro stabile rispetto alle variazioni del transistor. È la configurazione preferita negli amplificatori reali.

    7. BJT come interruttore in saturazione

    Esercizio. Un BJT pilota un carico con V_{CC}=5\ \text{V}, R_C=500\ \Omega e V_{CE,sat}=0{,}2\ \text{V}. Calcolare la corrente di collettore in saturazione.

    In saturazione la corrente è fissata dal carico:

    I_{C,sat}=\dfrac{V_{CC}-V_{CE,sat}}{R_C}.

    Sostituendo:

    I_{C,sat}=\dfrac{5-0{,}2}{500}=\dfrac{4{,}8}{500}=9{,}6\ \text{mA}.

    Risultato:

    \boxed{I_{C,sat}=9{,}6\ \text{mA}}.

    In saturazione non vale più I_C=\beta I_B: il transistor è usato come interruttore chiuso e la corrente dipende dal carico.

    8. Resistenza di base per saturare

    Esercizio. Per il circuito del punto 7, usare un beta forzato \beta_F=10 e un comando logico V_{in}=5\ \text{V}. Calcolare R_B con V_{BE}\approx0{,}7\ \text{V}.

    La corrente di base richiesta è:

    I_B=\dfrac{I_{C,sat}}{\beta_F}.

    Quindi:

    I_B=\dfrac{9{,}6\ \text{mA}}{10}=0{,}96\ \text{mA}.

    La resistenza di base è:

    R_B=\dfrac{V_{in}-V_{BE}}{I_B}.

    Sostituendo:

    R_B=\dfrac{5-0{,}7}{0{,}96\times10^{-3}} = \dfrac{4{,}3}{0{,}00096} \approx4479\ \Omega.

    Valore commerciale:

    \boxed{R_B\approx4{,}7\ \text{k}\Omega}.

    Il beta forzato è volutamente basso: si sovrapilota la base per garantire saturazione anche con transistor reali e temperatura variabile.

    9. Effetto della variazione di \beta nella polarizzazione fissa

    Esercizio. Nel circuito a polarizzazione fissa del punto 2, I_B=24\ \mu\text{A}. Calcolare I_C se \beta=50 e se \beta=200.

    Con \beta=50:

    I_C=50\cdot24\ \mu\text{A}=1{,}2\ \text{mA}.

    Con \beta=200:

    I_C=200\cdot24\ \mu\text{A}=4{,}8\ \text{mA}.

    La stessa rete di base produce correnti molto diverse:

    \boxed{I_C=1{,}2\ \text{mA}\ \text{oppure}\ 4{,}8\ \text{mA}}.

    Questo mostra perché la polarizzazione fissa è fragile: \beta non è un parametro preciso, ma varia tra esemplari e con la temperatura.

    10. Parametri a piccolo segnale

    Esercizio. Un BJT polarizzato ha I_C=1\ \text{mA} e \beta=100. Stimare g_m e r_\pi a temperatura ambiente, usando V_T\approx25\ \text{mV}.

    La transconduttanza è:

    g_m=\dfrac{I_C}{V_T}.

    Sostituendo:

    g_m=\dfrac{1\times10^{-3}}{25\times10^{-3}}=0{,}04\ \text{S}=40\ \text{mS}.

    La resistenza d’ingresso base-emettitore a piccolo segnale è:

    r_\pi=\dfrac{\beta}{g_m}.

    Quindi:

    r_\pi=\dfrac{100}{0{,}04}=2500\ \Omega=2{,}5\ \text{k}\Omega.

    Risultato:

    \boxed{g_m=40\ \text{mS},\qquad r_\pi=2{,}5\ \text{k}\Omega}.

    Questi parametri collegano la polarizzazione in continua al comportamento in alternata: cambiando I_C cambia anche il guadagno a piccolo segnale.

    11. Potenza dissipata dal transistor

    Esercizio. Un BJT in zona attiva lavora con V_{CE}=7{,}2\ \text{V} e I_C=2{,}4\ \text{mA}. Calcolare la potenza dissipata.

    La potenza principale è:

    P_D\approx V_{CE}I_C.

    Sostituendo:

    P_D=7{,}2\cdot2{,}4\times10^{-3}=17{,}28\ \text{mW}.

    Risultato:

    \boxed{P_D\approx17{,}3\ \text{mW}}.

    Anche nei piccoli segnali si verifica la dissipazione: temperatura e massima potenza ammessa determinano l’affidabilità del punto di lavoro.

    Errori comuni

    • Dimenticare V_{BE}=0{,}7\,V nella maglia di base. Va sempre sottratta per trovare I_B o I_E.
    • Assumere zona attiva senza verificare V_{CE}. Se V_{CE} scende sotto \sim0{,}2\,V il transistor è in saturazione e I_C\ne\beta I_B.
    • Usare la polarizzazione fissa per stabilità. Dipende da \beta: per un punto di lavoro stabile serve il partitore con R_E.
    • Confondere I_C e I_E quando serve precisione. Sono quasi uguali ma I_E=I_C+I_B; per \beta basso la differenza conta.
    • Dimensionare un interruttore con il beta nominale. In saturazione si usa un beta forzato più basso per garantire margine.
    • Separare continua e piccolo segnale. Il punto di lavoro determina g_m, r_\pi e quindi il comportamento dell’amplificatore.

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